![]() LSI回路を微細化すると、配線線幅と同時に配線間の絶縁部が狭くなることにより、動作速度の低下、消費電力の増加といったデバイス特性上の問題を招きます。これを解決する為に、低誘電率の絶縁材料(Low-k材)が必要とされています。低誘電絶縁膜は塗布あるいは化学気相蒸着(CVD)で形成されます。当社では、CVD用途の低誘電絶縁膜材料やキャップ材料などの薄膜形成材料とその関連製品を取り揃えております。併せてこれらの薬液をCVD装置に供給する為の自動薬液供給装置をご提供いたします。 |
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![]() LSI回路を微細化すると、配線線幅と同時に配線間の絶縁部が狭くなることにより、動作速度の低下、消費電力の増加といったデバイス特性上の問題を招きます。これを解決する為に、低誘電率の絶縁材料(Low-k材)が必要とされています。低誘電絶縁膜は塗布あるいは化学気相蒸着(CVD)で形成されます。当社では、CVD用途の低誘電絶縁膜材料やキャップ材料などの薄膜形成材料とその関連製品を取り揃えております。併せてこれらの薬液をCVD装置に供給する為の自動薬液供給装置をご提供いたします。 |
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